چهارشنبه 24 بهمن 1403 - 18:38

کد خبر 805929

چهارشنبه 24 بهمن 1403 - 13:17:54


بازدهی پایین، سامسونگ را وادار به بازنگری فرایند تولید تراشه‌های حافظه کرده است


شهر سخت افزار/ گزارش‌ها حاکی از آن است که شرکت کره‌ای سامسونگ، به منظور افزایش نرخ بازدهی تولید و جبران شکاف با رقبا در ساخت حافظه‌های HBM4، تصمیم به بازطراحی فرآیند تولید حافظه 1c DRAM خود گرفته است.

به نظر می‌رسد این غول فناوری کره‌ای در حال ارزیابی و اصلاح فرآیند تولید DRAM 1c خود است، فرآیندی که گفته می‌شود نقش کلیدی در موفقیت حافظه‌های HBM4 این شرکت ایفا می‌کند. بر اساس گزارش ZDNet Korea، سامسونگ از نیمه دوم سال 2024 میلادی به ارزیابی مجدد فرآیندهای پیشرفته DRAM خود مشغول بوده و اکنون طراحی فرایند 1c خود را بازطراحی کرده است. 

هدف از این اقدام، اطمینان از استقبال صنعت از حافظه‌های HBM نسل جدید سامسونگ است، بر خلاف مشتقات حافظه‌های HBM3 که مشکلات زیادی برای هماهنگی با تراشه‌های هوش مصنوعی انویدیا داشتند.



بازدهی پایین، مانع اصلی تولید انبوه تراشه‌های حافظه
بر اساس این گزارش، فرآیند پیشرفته DRAM سامسونگ نتوانسته به نرخ بازدهی مورد انتظار، که بین 60 تا 70 درصد تخمین زده می‌شود، دست یابد. همین امر مانع از ورود این شرکت کره‌ای به مرحله تولید انبوه شده است. گفته می‌شود مشکل اصلی به ابعاد تراشه DRAM 1c مربوط می‌شود. سامسونگ در ابتدا تمرکز خود را بر کاهش ابعاد تراشه برای دستیابی به حجم تولید بالاتر معطوف کرده بود، اما این رویکرد منجر به کاهش پایداری فرآیند و در نتیجه، نرخ بازدهی پایین‌تر شد.

به نقل از ZDNet Korea، یک منبع آگاه بیان داشته است:

سامسونگ الکترونیکس طراحی DRAM 1c خود را برای افزایش ابعاد تراشه تغییر داده و تمرکز خود را بر بهبود نرخ بازدهی، با هدف دستیابی به آن در اواسط سال جاری، قرار داده است. به نظر می‌رسد آن‌ها حتی اگر هزینه بیشتری داشته باشد، بر تولید انبوه پایدار نسل بعدی حافظه‌ها متمرکز شده‌اند.
اهمیت DRAM 1c در موفقیت HBM4 و رقابت تنگاتنگ با رقبا
فرآیند DRAM 1c سامسونگ نقشی حیاتی در چگونگی عملکرد محصولات HBM4 این شرکت ایفا می‌کند. با توجه به اینکه رقبای اصلی سامسونگ، مانند SK Hynix و Micron، طراحی‌های خود را بهینه کرده‌اند، زمان برای این غول کره‌ای به سرعت در حال گذر است. به ویژه پس از ناکامی‌های HBM3 که حتی با اعتراض علنی مدیرعامل انویدیا همراه بود، تضمین عملکرد فرآیند DRAM 1c مطابق با استانداردها برای سامسونگ از اهمیت زیادی دارد.

در حال حاضر، ابهاماتی در مورد سرنوشت فرآیند DRAM نسل ششم سامسونگ وجود دارد، اما انتظار می‌رود در ماه‌های آینده شاهد پیشرفت‌هایی باشیم که به طور بالقوه می‌تواند فرآیند HBM4 سامسونگ را تا پایان سال جاری میلادی در مسیر تولید انبوه قرار دهد.


پربیننده ترین


سایر اخبار مرتبط